کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465758 | 1517970 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved thermoelectric properties of nanocrystalline hydrogenated silicon thin films by post-deposition thermal annealing
ترجمه فارسی عنوان
بهبود خواص ترموالکتریک فیلم های نازک سیلیکون هیدروژنه نانوکرولیستیک با اتلاف حرارت پس از رسوب
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The influence of post-deposition thermal annealing on the thermoelectric properties of n- and p-type nanocrystalline hydrogenated silicon thin films, deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition, was studied in this work. The Power Factor of p-type films was improved from 7 Ã 10â 5 to 4 Ã 10â 4 W/(m.K2) as the annealing temperature, under vacuum, increased up to 400 °C while for n-type films it has a minor influence. Optimized Seebeck coefficient values of 460 μV/K and â 320 μV/K were achieved for p- and n-type films, respectively, with crystalline size in the range of 10 nm, leading to remarkable low thermal conductivity values (< 10 W.mâ 1.Kâ 1) at room temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 642, 30 November 2017, Pages 276-280
Journal: Thin Solid Films - Volume 642, 30 November 2017, Pages 276-280
نویسندگان
Joana Loureiro, Tiago Mateus, Sergej Filonovich, Marisa Ferreira, Joana Figueira, Alexandra Rodrigues, Brian F. Donovan, Patrick E. Hopkins, Isabel Ferreira,