کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466375 | 1517990 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Plasma electron annealing method for recrystallization of a-Si thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We introduce a plasma electron annealing (PEA) method that takes advantage of the electrons inside the plasma by applying DC positive bias voltage in a pulsed form to the substrate. One favorable aspect of this method is that it develops polysilicon (poly-Si) films, within 60 s, from amorphous silicon (a-Si) films without damaging the surface. Analysis using Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) has been conducted to determine the crystalline properties of poly-Si films. Observations show that a-Si is almost completely crystallized into poly-Si at surface temperatures above 600 °C. These results show the PEA as a potential method for crystallization of a-Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 622, 31 January 2017, Pages 111-114
Journal: Thin Solid Films - Volume 622, 31 January 2017, Pages 111-114
نویسندگان
Jong-Bae Park, Dae Chul Kim, Young-Woo Kim,