کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468173 | 1518929 | 2017 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of heating temperature of Se effusion cell on Cu(In, Ga)Se2 thin films and solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, copper indium gallium di-selenide (Cu(In, Ga)Se2, CIGS) thin films are prepared at different heating temperatures of Se effusion cell (Tsec) between 150 °C and 190 °C. The Tsec has a great influence on the deposition rate, chemical composition, morphology and grain structure of the CIGS absorbers. The CIGS thin film solar cell fabricated at 160 °C shows best efficiency of 11.6% in this series due to the relatively higher open circuit voltage (Voc) and fill factor (FF) as well as a high short circuit current (Jsc). By further optimizing device and material properties, the higher efficiency CIGS thin film solar cell of 17.2% is achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 141, July 2017, Pages 89-96
Journal: Vacuum - Volume 141, July 2017, Pages 89-96
نویسندگان
C. Zhang, H. Zhu, X. Liang, D. Zhou, Y. Guo, X. Niu, Z. Li, J. Chen, Y. Mai,