کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468301 | 1518930 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Operation characteristics of Poly-Si nanowire charge-trapping flash memory devices with SiGe and Ge buried channels
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Operation characteristics of polycrystalline silicon (poly-Si) nanowire (NW) charge-trapping (CT) flash memory devices with a SiGe and a Ge buried channel are studied and compared in this work. The poly-Si NW devices with a Ge buried channel show faster programming and erasing speeds as compared to those with a SiGe one due to a lower energy barrier in tunneling layer with more Ge composition. The retention and endurance characteristics of devices with a Ge buried channel are similar to those with a SiGe one. Ge buried channel is promising to CT flash device for 3D nonvolatile memory applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 140, June 2017, Pages 53-57
Journal: Vacuum - Volume 140, June 2017, Pages 53-57
نویسندگان
Hsin-Kai Fang, Kuei-Shu Chang-Liao, Chien-Pang Huang, Wei-Zhi Lee,