کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548090 | 1450543 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of gate leakage mechanism in advanced charge-coupled MOSFET (CC-MOSFET) technology
ترجمه فارسی عنوان
بررسی مکانیزم نشت دروازه در تکنولوژی MOSFET (CC-MOSFET) پیشرفته با شارژ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نشت IGSS ؛ CC-MOSFET
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
In this work we present an alternative method to evaluate the ability to charge trap of the thermal silicon oxide grown on n+-polysilicon in charge-coupled MOSFET devices. By interpreting the current conduction mechanism through the polysilicon-oxide by Frenkel–Poole model, we were able to evaluate and quantify the amount of charge trapped in it. We propose this approach as a very simple methodology to recognize the properties and quality of insulation of the thermal silicon oxide grown on n+-polysilicon devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 57, February 2016, Pages 20–23
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 57, February 2016, Pages 20–23
نویسندگان
G. Barletta, V.C. Ngwan,