کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489184 | 1524352 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effective surface passivation of In0.53Ga0.47As(0Â 0Â 1) using molecular beam epitaxy and atomic layer deposited HfO2 - A comparative study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Molecular-beam-epitaxy (MBE) and atomic-layer-deposition (ALD) high-κ HfO2 dielectrics have been in-situ deposited on MBE-grown pristine p- and n-In0.53Ga0.47As(0 0 1). The HfO2/In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs) from both methods all exhibit excellent capacitance-voltage (C-V) characteristics with true inversion and low leakage current densities. Moreover, interfacial trap densities (Dit's) with no discernible peaks at the mid-gap were measured using the temperature-dependent conductance method. Both HfO2/InGaAs hetero-structures have exhibited outstanding thermal stabilities to 800 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 159-163
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 159-163
نویسندگان
M. Hong, H.W. Wan, P. Chang, T.D. Lin, Y.H. Chang, W.C. Lee, T.W. Pi, J. Kwo,