کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6472166 | 1424130 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of the porosity of silicon nitride thin layers by Electrochemical Impedance Spectroscopy
ترجمه فارسی عنوان
مشخصه تخلخل لایه های نازک سیلیکون نیترید توسط طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
طیف سنج امپدانس الکتروشیمیایی، میکروسکوپ الکترونی انتقال، قطر بینی، نیترید سیلیکون، لایه ی نازک،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Silicon nitride thin films are widely used as diffusion barriers within stacks in the glass industry but turn out to be porous at the nanometric scale. EIS measurements were conducted on SiNx thin layers deposited on a gold layer. An electrochemical model was established to fit the EIS measurements making use of data from other complementary techniques. In particular, Transmission Electron Microscopy was performed on these thin layers to determine the diameter and the qualitative morphology of the pores. A quantitative determination of the through-porosity of the layer was deduced from the EIS model and was in good agreement with TEM measurements. Moreover, combining EIS with local observations enabled inhomogeneities in the layer to be probed by highlighting a specific region in the layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 227, 10 February 2017, Pages 1-6
Journal: Electrochimica Acta - Volume 227, 10 February 2017, Pages 1-6
نویسندگان
T. Barrès, B. Tribollet, O. Stephan, H. Montigaud, M. Boinet, Y. Cohin,