کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945521 | 1450516 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A reverse hysteresis effect of graphene transistors with amorphous silicon gate dielectric
ترجمه فارسی عنوان
اثر هیسترزیز معکوس ترانزیستورهای گرافن با دی الکتریک دیواری سیلیکون آمورف
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
گرافن، اثر هیسترزیس، سیلیکون آمورف،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
In this paper, graphene field effect transistors with amorphous silicon gate dielectric have been fabricated. A reverse hysteresis effect in these transistors is observed at room temperature. This property is different from that of the graphene field effect transistors with SiO2 gate dielectric. After the transfer characteristics of the graphene transistors, the time evolution of drain current of the graphene devices, and the Raman and infrared spectrum of the α-Si are investigated, the reverse hysteresis is attributed to the defects and hydrogen atoms in surface of the amorphous silicon. This result is helpful to understand the hysteresis effect of graphene devices and enhance the reliability of graphene circuits.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 85, June 2018, Pages 118-121
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 85, June 2018, Pages 118-121
نویسندگان
Qingwei Zhang, Ping Li, Yongbo Liao, Gang Wang, Rongzhou Zeng, Heng Wang,