کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946227 | 1450541 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation of pMOSFETs due to hot electron induced punchthrough
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 13-17
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 13-17
نویسندگان
Donghee Son, Gang-Jun Kim, Ji-Hoon Seo, Nam-Hyun Lee, YongHa Kang, Bongkoo Kang,