کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946877 | 1450547 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Turn-off instabilities in large area IGBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An interpretation of the phenomenon is given that attributes such spike to a strong current imbalance on the large area device, so that a latch-up failure mechanism is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1927-1934
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1927-1934
نویسندگان
C. Abbate, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Sanseverino, F. Velardi, C. Ronsisvalle, J. Victory,