کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947071 | 1450550 | 2019 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Infrared Thermography application to functional and failure analysis of electron devices and circuits
ترجمه فارسی عنوان
کاربرد ترموگرافی مادون قرمز به تجزیه و تحلیل عملکرد و شکست الکترونها و مدارها
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
In this paper the principal and more important application of Infrared Thermography are discussed. In particular the application of this experimental technique, both in its transient and steady-state mode of operation, are reported and illustrated through a broad set of experiments and examples. Functional application to the characterization of VLSI devices, application to the failure analysis of large area power devices, current monitoring in state-of-art heterojunction and organic devices prove the high potential of this technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2019-2023
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2019-2023
نویسندگان
Andrea Irace,