کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947103 | 1450550 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sample Preparation methodology for ultra thin oxide damage in Metal-Insulator-Metal capacitors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work the Sample Preparation on MIM structure in order to observe the untouched dielectric oxide is shown. A real case of Failure Analysis has been reported in which a very thin oxide crack on MIM structure has been found.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2064-2067
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2064-2067
نویسندگان
Giancarlo Calvagno, Giuseppe Muni, Andrea Jossa, Domenico Mello,