کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6947201 | 1450550 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical analysis of Schottky contact on power AlGaN/GaN HEMT after pulsed-RF life test
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper deals with the physical study of the Schottky contact after pulsed-RF saturated life test under enhanced drain bias voltage on power HEMTs. Electrical measurements showed a pinch-off voltage (VP) shift, a decrease of output power and average drain current while Photon Emission Microscopy (PEM) was used to identify the degradation distribution along the 80 fingers die. Finally, Transmission Electron Microscopy (TEM) is performed to point out the different Schottky degradation between a central finger and an outer one.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2205-2209
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 52, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2012, Pages 2205-2209
نویسندگان
J.-B. Fonder, L. Chevalier, C. Genevois, O. Latry, C. Duperrier, F. Temcamani, H. Maanane,