کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7144922 | 1462069 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen sensitive Schottky diode using semipolar (112¯2) AlGaN/GaN heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we investigated the hydrogen sensing characteristics of Pt Schottky diodes using semipolar (112¯2) AlGaN/GaN structures. First, these diodes showed a large current change of 30 mA at 1 V upon the introduction of 4% hydrogen in nitrogen gas with an accompanying Schottky barrier reduction of 90 meV at 25 °C. Second, their hydrogen detection sensitivity peaked at the zero bias voltage, and slowly decreased with applied bias voltage. Third, they demonstrated stable and reproducible current changes with a reasonable linearity in response to H2 concentrations from 0.5 â¼Â 4% with a step of 0.5%. As such, Pt Schottky diodes on semipolar AlGaN/GaN structures hold great promise for highly-sensitive hydrogen sensors due to their surface polarity and atomic configuration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 222, January 2016, Pages 43-47
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 222, January 2016, Pages 43-47
نویسندگان
Soohwan Jang, Pyunghee Son, Jimin Kim, Sung-Nam Lee, Kwang Hyeon Baik,