کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150355 | 1462189 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance analysis and simulation of vertical gallium nitride nanowire transistors
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل عملکرد و شبیه سازی ترانزیستورهای نانوسیم گالیم نیترویید
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Gallium nitride (GaN) nanowire transistors are analyzed using hydrodynamic simulation. Both p-body and n-body devices are compared in terms of threshold voltage, saturation behavior and transconductance. The calculations are calibrated using experimental data. The threshold voltage can be tuned from enhancement to depletion mode with wire doping. Surface states cause a shift of threshold voltage and saturation current. The saturation current depends on the gate design, with a composite gate acting as field plate in the p-body device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 144, June 2018, Pages 73-77
Journal: Solid-State Electronics - Volume 144, June 2018, Pages 73-77
نویسندگان
Bernd Witzigmann, Feng Yu, Kristian Frank, Klaas Strempel, Muhammad Fahlesa Fatahilah, Hans Werner Schumacher, Hutomo Suryo Wasisto, Friedhard Römer, Andreas Waag,