کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150376 | 1462189 | 2018 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ferroelectric field-effect transistors based on solution-processed electrochemically exfoliated graphene
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای میدان مغناطیسی فیزیکی بر اساس گرافن به صورت الکتروشیمیایی پردازش شده با محلول
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
گرافن الکتروشیمیایی اشباع شده، فلوئور، ترانزیستور میدان اثر، حافظه، گرافن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Memories based on graphene that could be mass produced using low-cost methods have not yet received much attention. Here we demonstrate graphene ferroelectric (dual-gate) field effect transistors. The graphene has been obtained using electrochemical exfoliation of graphite. Field-effect transistors are realized using a monolayer of graphene flakes deposited by the Langmuir-Blodgett protocol. Ferroelectric field effect transistor memories are realized using a random ferroelectric copolymer poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) in a top gated geometry. The memory transistors reveal ambipolar behaviour with both electron and hole accumulation channels. We show that the non-ferroelectric bottom gate can be advantageously used to tune the on/off ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 144, June 2018, Pages 90-94
Journal: Solid-State Electronics - Volume 144, June 2018, Pages 90-94
نویسندگان
Jonas Heidler, Sheng Yang, Xinliang Feng, Klaus Müllen, Kamal Asadi,