کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150507 | 1462193 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A low knee voltage and high breakdown voltage of 4H-SiC TSBS employing poly-Si/Ni Schottky scheme
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a low knee voltage and high breakdown voltage 4H-SiC TSBS employing poly-Si/Ni dual Schottky contacts. A knee voltage was significantly improved from 0.75 to 0.48Â V by utilizing an alternative low work-function material of poly-Si as an anode electrode. Also, reverse breakdown voltage was successfully improved from 901 to 1154Â V due to a shrunk low-work-function Schottky region by a proposed self-align etching process between poly-Si and SiC. SiC TSBS with poly-Si/Ni dual Schottky scheme is a suitable structure for high-efficiency rectification and high-voltage blocking operation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 140, February 2018, Pages 8-11
Journal: Solid-State Electronics - Volume 140, February 2018, Pages 8-11
نویسندگان
Dong Young Kim, Ogyun Seok, Himchan Park, Wook Bahng, Hyoung Woo Kim, Ki Cheol Park,