کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7150528 1462193 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Designing 4H-SiC P-shielding trench gate MOSFET to optimize on-off electrical characteristics
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Designing 4H-SiC P-shielding trench gate MOSFET to optimize on-off electrical characteristics
چکیده انگلیسی
Based on this proposed model, the 1200 V 4H-SiC P-shielding trench gate MOSFET was designed and optimized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 140, February 2018, Pages 23-28
نویسندگان
, , , ,