کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150768 | 1462216 | 2016 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A review of electrical characterization techniques for ultrathin FDSOI materials and devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The characterization of nanosize SOI materials and devices is challenging because multiple oxides, interfaces and channels coexist. Conventional measurement methods need to be replaced, or at least updated. We review the routine techniques that proved efficient for the evaluation of bare SOI wafers (essentially the pseudo-MOSFET) and of MOS structures (transistors and gated diodes). Informative examples are selected to illustrate the typical properties of advanced SOI wafers and MOSFETs. We will show how the ultrathin film and short-channel effects affect the interpretation of the experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 117, March 2016, Pages 10-36
Journal: Solid-State Electronics - Volume 117, March 2016, Pages 10-36
نویسندگان
Sorin Cristoloveanu, Maryline Bawedin, Irina Ionica,