کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150958 | 1462217 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of various gate materials on electrical degradation of a-Si:H TFT in industrial display application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effects of various gate materials on electrical degradation of a-Si:H TFT in industrial display application Effects of various gate materials on electrical degradation of a-Si:H TFT in industrial display application](/preview/png/7150958.png)
چکیده انگلیسی
Difference thermal conductivity and resistivity resulted in covered SiNx crack on Cu line, voids in Al line. Power-law dependency of ÎVt indicates defect states creation.353
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 116, February 2016, Pages 130-134
Journal: Solid-State Electronics - Volume 116, February 2016, Pages 130-134
نویسندگان
Ching-Yuan Ho, Yaw-Jen Chang,