کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7150958 1462217 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of various gate materials on electrical degradation of a-Si:H TFT in industrial display application
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Effects of various gate materials on electrical degradation of a-Si:H TFT in industrial display application
چکیده انگلیسی
Difference thermal conductivity and resistivity resulted in covered SiNx crack on Cu line, voids in Al line. Power-law dependency of ΔVt indicates defect states creation.353
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 116, February 2016, Pages 130-134
نویسندگان
, ,