Emission criterion of a screw dislocation near a semi-infinite wedge crack partially penetrating a nanoscale piezoelectric inhomogeneity with interface effect

تعامل الکترواستاتیک بین جابجایی پیچ پیزوالکتریک و کرم گوه نیمه بی نهایت که تا حدی نفوذ ناهمسانگی پیزوالکتریک نانومقیقی دایره ای را مورد بررسی قرار می دهد. با استفاده از اصل تقارن ریمان-شوارتز با یکپارچگی با تجزیه و تحلیل تکینگی توابع پیچیده و تکنیک نقشه برداری سازگار، بیانات میدان های الکترواستاتیک در مناطق ماتریس و ناهمگن به صراحت صورت می گیرد. نیروی تصویر، شدت تنش و فاکتور شدت جابجایی الکتریکی نوک کرک، و همچنین استرس انتقالی اعمال شده و ضریب شدت جابجایی بحرانی برای انتشار جابجایی، به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که جابجایی پیوسته مثبت پیزوالکتریک می تواند عامل شدت تنش نوک ترم گوه را کاهش دهد و رشد ترک را حفظ کند. اگر اتصال جابجایی الکتریکی و استرس مثبت در رابط در نظر گرفته شود، اثر محافظتی افزایش می یابد و وضعیت نیرو تصویری تغییر خواهد کرد. زاویه احتمالی برای انتشار ناپیوستگی صفر است و بیشترین مقدار مدول برشی و ثابت پیزوالکتریک ماتریس، بزرگترین زاویه باز شدن کرایه گوه است که برای انتشار ناپیوستگی مشکل تر است. علاوه بر این، بلوک های استرس منفی (منفی) (افزایش) انتشار جابجایی و وجود جابجایی الکتریکی در رابط باعث انتشار جابجایی دشوار است.