کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
746810 | 1462237 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A physics-based scheme for potentials of a-Si:H TFT with symmetric dual gate considering deep Gaussian DOS distribution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Taking deep Gaussian and tail exponential distribution of the density of states into account, a novel scheme for potentials of amorphous silicon thin film transistor using symmetric dual gate has been present. The proposed scheme, valid from below to above threshold regimes, provides a completed solution of the potentials at the surface and mid of the layer without solving any transcendental equation. Validity of the work has been verified by extensive comparison to the rigorous numerical simulations. The calculation efficiency has finally been demonstrated. A significant promotion is obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 95, May 2014, Pages 46–51
Journal: Solid-State Electronics - Volume 95, May 2014, Pages 46–51
نویسندگان
Jian Qin, R.H. Yao,