کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747464 | 894524 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
FDSOI devices with thin BOX and ground plane integration for 32 nm node and below
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we compare Fully-Depleted SOI (FDSOI) devices with different BOX (Buried Oxide) thicknesses with or without ground plane (GP). With a simple high-k/metal gate structure, the 32 nm devices exhibits Ion/Ioff performances well suited for low power (LP) applications. The different BOX thicknesses and ground plane conditions are compared with bulk 45 nm technology in terms of variability and noise. A 0.499 μm2 SRAM cell has been characterized with less than 50 pA of standby current/cell and a SNM of 210 mV @ Vdd 1 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 730–734
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 730–734
نویسندگان
C. Fenouillet-Beranger, S. Denorme, P. Perreau, C. Buj, O. Faynot, F. Andrieu, L. Tosti, S. Barnola, T. Salvetat, X. Garros, M. Cassé, F. Allain, N. Loubet, L. Pham-Nguyen, E. Deloffre, M. Gros-Jean, R. Beneyton, C. Laviron, M. Marin, C. Leyris,