کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747729 | 1462222 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1−x−ySixSny on Ge(0 0 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated the influence of tensile and compressive strain on the crystalline structures of Ge1−x−ySixSny epitaxial layers. The tensile strain in Ge1−x−ySixSny induces a non-uniform crystallinity of (2 2 0) lattice planes and surface roughening despite the strain magnitude is as small as 0.20%. In contrast, the unstrained or compressive strained Ge1−x−ySixSny layer exhibits a flat and uniform surface and high crystallinity. We found that the control of the sign of the strain is an important factor to obtain a high quality Ge1−x−ySixSny layer. Furthermore, substitutional Sn atoms in Ge1−x−ySixSny epitaxial layer with an Sn content of 10% are thermally stable for annealing at 500 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 110, August 2015, Pages 49–53
Journal: Solid-State Electronics - Volume 110, August 2015, Pages 49–53
نویسندگان
Takanori Asano, Tatsuya Terashima, Takashi Yamaha, Masashi Kurosawa, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima,