کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747752 | 1462224 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties and strain distribution of Ge suspended structures
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکتریکی و توزیع کرنش ساختارهای معلق
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Germanium membranes and microstructures of 50–1000 nm thickness have been fabricated by a combination of epitaxial growth on a Si substrate and simple etching processes. The strain in these structures has been measured by high-resolution micro-X-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy. The strain in these membranes is extremely isotropic and the surface is observed to be very smooth, with an RMS roughness below 2 nm. The process of membrane fabrication also serves to remove the misfit dislocation network that originally forms at the Si/Ge interface, with benefits for the mechanical, optical and electrical properties of the crystalline membranes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 108, June 2015, Pages 13–18
Journal: Solid-State Electronics - Volume 108, June 2015, Pages 13–18
نویسندگان
V.A. Shah, S.D. Rhead, J. Finch, M. Myronov, J.S. Reparaz, R.J. Morris, N.R. Wilson, V. Kachkanov, I.P. Dolbnya, J.E. Halpin, D. Patchett, P. Allred, G. Colston, K.J.S. Sawhney, C.M. Sotomayor Torres, D.R. Leadley,