کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748126 | 894736 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current transport of GaAsSb-based DHBTs with different emitter structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we compare our InAlAs-InP/GaAsSb DHBT with other published GaAsSb-based DHBTs in the dc characteristics by examining the Gummel plot and simulation analysis. The InAlAs-InP and InP-InAlAs composite emitters can effectively reduce electron pile-up as found in the InP/GaAsSb DHBT, thus increasing current gain significantly at low current density. Although electron pile-up is found in the InP/GaAsSb DHBT from the type-II conduction band barrier, it shows better operation at the high current regime than composite emitter structures because at high bias the abrupt heterojunction formed at the InP-InAlAs interface blocks carriers and degrades the inject efficiency.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 6, June 2009, Pages 574-577
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 6, June 2009, Pages 574-577
نویسندگان
Chun-ting Pan, Che-ming Wang, Yue-ming Hsin, H.J. Zhu, J.M. Kuo, Y.C. Kao,