کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748131 | 894736 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new analytical threshold voltage model for the doped polysilicon thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new analytical threshold voltage model for the doped polysilicon thin-film transistors (poly-Si TFTs) is proposed in this paper, which is related to U-shaped distribution of density of states in the grain boundary, the gate oxide thickness, the substrate doping concentration, and the grain size. Moreover, the new model has a simple functional form and it can reduce to the threshold voltage model of the conventional long channel MOSFET when the grain size is large.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 6, June 2009, Pages 607–612
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 6, June 2009, Pages 607–612
نویسندگان
Weijing Wu, Ruohe Yao, Xueren Zheng,