کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748166 | 894740 | 2009 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multi-Subband Monte Carlo simulations of ION degradation due to fin thickness fluctuations in FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We found that the impact of channel thickness discontinuity on the on-current is larger when the nonuniformities are located close to the Virtual Source of the device. Furthermore, the sensitivity of the on-current to thickness nonuniformity is essentially the same when considering devices with different crystal orientations. Comparison with drift-diffusion simulations reveals substantial differences in the predicted trends of the sensitivity of the drain current to thickness fluctuations in these nanoscale devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 4, April 2009, Pages 424-432
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 4, April 2009, Pages 424-432
نویسندگان
N. Serra, P. Palestri, G.D.J. Smit, L. Selmi,