کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748271 | 894750 | 2011 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/SiO2 gate dielectric
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/SiO2 gate dielectric LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/SiO2 gate dielectric](/preview/png/748271.png)
چکیده انگلیسی
⺠Linear Kink Effect shot noise. ⺠Back-Gate Induced Lorentzians. ⺠Multiple-gate FinFETs. ⺠Impact of strain on the excess low-frequency noise.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 63, Issue 1, September 2011, Pages 27-36
Journal: Solid-State Electronics - Volume 63, Issue 1, September 2011, Pages 27-36
نویسندگان
N. Lukyanchikova, N. Garbar, V. Kudina, A. Smolanka, E. Simoen, C. Claeys,