کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
748271 894750 2011 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/SiO2 gate dielectric
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/SiO2 gate dielectric
چکیده انگلیسی
► Linear Kink Effect shot noise. ► Back-Gate Induced Lorentzians. ► Multiple-gate FinFETs. ► Impact of strain on the excess low-frequency noise.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 63, Issue 1, September 2011, Pages 27-36
نویسندگان
, , , , , ,