کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748961 | 894799 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial graphene top-gate FETs on silicon substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports preparation of top-gate epitaxial graphene FETs (EGFETs) on silicon substrates. Epitaxial graphene is obtained from a thermal decomposition at the surface of a 3C–SiC layer grown on Si substrates. We provide the first demonstration and comparison of the EGFETs fabricated on Si(1 1 0) and Si(1 1 1) substrates. For all EGFETs, an n-type transistor operation is observed by the gate voltage modulation. We find that the Si(1 1 1) substrates give better flatness at the surface of the 3C–SiC layer. As a result, the EGFETs fabricated on Si(1 1 1) substrates exhibit higher channel currents than those on Si(1 1 0) substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 10, October 2010, Pages 1071–1075
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 10, October 2010, Pages 1071–1075
نویسندگان
Hyun-Chul Kang, Hiromi Karasawa, Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Maki Suemitsu, Taiichi Otsuji,