کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748980 | 894799 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A high efficient, low power, and compact charge pump by vertical MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper examines the impact on the charge pump performance by utilizing the merit of the back-bias effect free for the vertical MOSFETs. The simulation results show that the charge pump circuits composed of the vertical MOSFETs can both shrink the charge pump area and lower the power consumption by more than 90% in comparison with the conventional charge pump circuits composed of the planar MOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 10, October 2010, Pages 1192–1196
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 10, October 2010, Pages 1192–1196
نویسندگان
Koji Sakui, Tetsuo Endoh,