کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749676 | 894840 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transfer matrix method modelling of inhomogeneous Schottky barrier diodes on silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The paper presents a novel modelling technique for the static characteristics of power Schottky barrier diodes on SiC. Starting from an accurate and physically sound estimation of the transmission coefficient for the electrons movement across the Schottky barrier, the forward and reverse bias static current is evaluated and compared to experimental results. In order to properly reproduce experimental results, an inhomogeneous parallel conduction description of the Schottky barrier is shown to be required in reverse bias. Furthermore, consistently with previous work, a Schottky barrier height reduction is observed in moving from forward to reverse bias.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 3, March 2007, Pages 466–474
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 3, March 2007, Pages 466–474
نویسندگان
M. Furno, F. Bonani, G. Ghione,