کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
751386 | 895230 | 2010 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chalcogenides for thin film NO sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Study of Te13Gex-based binary, ternary and quaternary alloys of Te, Ge, Se, As, Mg, I and S was performed in order to find appropriate material compositions for use in future gas sensors working at room temperature. Although most of the investigated alloys showed a linear correlation between the NO concentration and the sensor current at constant voltage, the alloys’ composition was found to have a large influence on the NO sensitivity and the signal/noise ratio. In particular, the integration of As and Mg reduces the NO sensing properties, if compared to S or I containing Te13Gex films. Among the alloys tested, two promising candidates for future gas sensors, Te13Ge3S3 and Te13Ge3, have been found.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 145, Issue 1, 4 March 2010, Pages 216–224
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 145, Issue 1, 4 March 2010, Pages 216–224
نویسندگان
Jens Wüsten, Karin Potje-Kamloth,