کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7700782 1496825 2016 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multilevel resistive switching and nonvolatile memory effects in epoxy methacrylate resin and carbon nanotube composite films
ترجمه فارسی عنوان
سوئیچینگ مقاومت چند متغیره و اثرات حافظه غیر قابل تغییر در رزین اپوکسی متاکریلات و کربن نانولوله کربنی
کلمات کلیدی
تعویض مقاومت حافظه چند سلولی، نانولوله های کربنی، قابل تجدید پذیر، تله شارژ،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش مقاله
سوئیچینگ مقاومت چند متغیره و اثرات حافظه غیر قابل تغییر در رزین اپوکسی متاکریلات و کربن نانولوله کربنی
چکیده انگلیسی
The memory device based on EMAR+CNTs composite exhibits multilevel conductivity states with stable intermediate resistance states.149
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 32, May 2016, Pages 7-14
نویسندگان
, , , , ,