کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7700861 1496825 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Indium-tin-oxide, free, flexible, nonvolatile memory devices based on graphene quantum dots sandwiched between polymethylsilsesquioxane layers
ترجمه فارسی عنوان
دستگاه های حافظه آزاد، انعطاف پذیر، غیر قابل انعطاف پذیر بر اساس نقاط کوانتومی گرافن که بین لایه های چند پلی استیل سیلوسیوکسان قرار دارند
کلمات کلیدی
قابل انعطاف، دستگاه حافظه غیر مجاز، نقطه کوانتومی گرافن، پلی متیل سیلسیکویکسان، ویژگی های برق، مکانیزم هدایت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش مقاله
دستگاه های حافظه آزاد، انعطاف پذیر، غیر قابل انعطاف پذیر بر اساس نقاط کوانتومی گرافن که بین لایه های چند پلی استیل سیلوسیوکسان قرار دارند
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 32, May 2016, Pages 115-119
نویسندگان
, , , ,