کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7758769 | 1500089 | 2015 | 30 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electrical properties of Si- and Ti-doped Cu2SnSe3 bulks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and electrical properties of Si- and Ti-doped Cu2SnSe3 bulks Structural and electrical properties of Si- and Ti-doped Cu2SnSe3 bulks](/preview/png/7758769.png)
چکیده انگلیسی
Cu2SnSe3 (CTSe) semiconductor is interesting because of its adjustable electrical properties by extrinsic doping. Si and Ti doping in CTSe leads to high carrier mobility above 800Â cm2Â Vâ1Â sâ1.189
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 227, July 2015, Pages 239-246
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 227, July 2015, Pages 239-246
نویسندگان
Walelign Wubet, Dong-Hau Kuo,