کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7758822 | 1500096 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A light-modified ferroelectric resistive switching behavior in Ag/BaMoO4/FTO device at ambient temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We fabricate a resistive switching device based on Ag/BaMoO4/FTO, the device shows superior white-light controlled bipolar resistive switching memristive characteristics.195
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 220, December 2014, Pages 32-36
Journal: Journal of Solid State Chemistry - Volume 220, December 2014, Pages 32-36
نویسندگان
W.X. Zhao, B. Sun, Y.H. Liu, L.J. Wei, H.W. Li, P. Chen,