Effect of layer number and layer stacking registry on the formation and quantification of defects in graphene

اندازه گیری نقص صحیح در نمونه های گرافن برای تحقیقات بنیادی و کاربردی بسیار مهم است. طیف سنجی رامان نشان دهنده وسیع ترین ابزار برای شناسایی نقص گرافن است. با این وجود، با وجود اهمیت فوق العاده آن، رابطه بین ویژگی های رامان و مقدار نقص در نمونه های گرافن چند لایه به طور تجربی تایید نشده است. در این مطالعه قصد نقص در گرافن تک لایه، گرافن دو طرفه توربستراکتیو و گرافن دو طرفه برنال بوسیله پلاسمای اکسیژن ایجاد کردیم. با استفاده از برچسب های ایزوتوپ، مطالعه ما نشان می دهد تفاوت های قابل توجهی از اثرات درمان پلاسما بر روی لایه های فردی در گرافن دو لایه با سفارشات مختلف انباشته. علاوه بر این اسپکتروسکوپ رامان پراکندگی فونون ها در لایه ی پایین را با نقص هایی در لایه ی بالا برای نمونه های برنال انباشته نشان می دهد که عموما منجر به برآورد تعداد نقص ها به میزان یک عامل دو برابر می شود.