کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7874101 | 1509427 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High mobility, low voltage operating C60 based n-type organic field effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠n-Type C60 organic field effect transistors optimized for low voltage operation. ⺠Thin parylene-C films are employed as dielectric layers. ⺠Metal oxides capped with organic films lead to optimized dielectric properties. ⺠Mobilities in the range of 3 cm2 Vâ1 sâ1 are possible at operating voltages below 1 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 161, Issues 19â20, October 2011, Pages 2058-2062
Journal: Synthetic Metals - Volume 161, Issues 19â20, October 2011, Pages 2058-2062
نویسندگان
G. Schwabegger, Mujeeb Ullah, M. Irimia-Vladu, M. Baumgartner, Y. Kanbur, R. Ahmed, P. Stadler, S. Bauer, N.S. Sariciftci, H. Sitter,