کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7961854 | 1513949 | 2012 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tailoring the mechanical properties of SiOxHyCz films deposited by atmospheric pressure microwave plasma torch with a Rechtschaffner design of experiments: A pragmatic statistical approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We examine the mechanical properties of SiOxHyCz films deposited by PECVD. ⺠The analysis is performed with a Rechtshaffner design of experiments. ⺠Transfer functions linking process parameters and mechanical responses are obtained. ⺠The models are interpreted and validated by analysis of variance. ⺠A desirability approach allows to converge towards a multi-criteria optimum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 60, July 2012, Pages 32-43
Journal: Computational Materials Science - Volume 60, July 2012, Pages 32-43
نویسندگان
Xavier Landreau, Pierre Chagnon, Christelle Dublanche-Tixier, Cédric Jaoul, Pascal Tristant,