کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7962121 | 1513953 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular dynamic simulation for Cu cluster deposition on Si substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Incident energy is the most important factor to affect the film growth modes. ⺠Quasi-expitaxy growth occurs at very low incident energies. ⺠Substrate temperature slightly helps film mixing and sputtering. ⺠There is a minimum surface roughness due to the incident energy. ⺠Substrate temperature reduces the surface roughness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 56, April 2012, Pages 85-94
Journal: Computational Materials Science - Volume 56, April 2012, Pages 85-94
نویسندگان
Shun-Fa Hwang, Yi-Hung Li, Zheng-Han Hong,