کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7963190 | 1514141 | 2018 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion irradiation induced nucleation and growth of nanoparticles in amorphous silicon carbide at elevated temperatures
ترجمه فارسی عنوان
اشعه یون منجر به ایجاد و رشد نانوذرات در کاربید سیلیکون آمورف در دمای بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاربید سیلیکون، بلورسازی، اشعه یون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی هسته ای و مهندسی
چکیده انگلیسی
Ion irradiation induced crystallization in as-deposited amorphous SiC films is investigated using grazing-angle incidence x-ray diffraction (GIXRD), transmission electron microscopy (TEM) and Raman spectroscopy. Irradiation with 5â¯MeV Xe to fluence of 1.15â¯Ãâ¯1016 Xe/cm2 at 700â¯K results in a homogenous distribution of 3C-SiC grains with an average crystallite size of â¼5.7â¯nm over the entire film thickness (â¼1â¯Î¼m). The nucleation and growth processes exhibit a weak dependence on dose in displacements per atom (dpa) in the range from â¼6 dpa at the film surface to â¼20 dpa at the SiC/Si interface. A transformation of homonuclear C-C bonds from sp3 to sp2 hybridization is observed in the irradiated films, which may be partly responsible for the observed grain size saturation. The results from this study may have a significant impact on applications of SiC as structural components of advanced nuclear energy systems.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 505, July 2018, Pages 249-254
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 505, July 2018, Pages 249-254
نویسندگان
Limin Zhang, Weilin Jiang, Wensi Ai, Liang Chen, Tieshan Wang,