کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
798854 | 1466780 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Process simulation at electron beam lithography on different substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper a general description of Monte Carlo simulation algorithm for modelling of exposure and development processes in the case of electron beam lithography (EBL) is presented. Experimental results and data obtained through Monte Carlo and analytical computer simulation tools of exposure and development processes for electron beam lithography are compared and analyzed. Results show that the simulation tools used predict with good accuracy the critical dimensions in the range of 500 nm and the profiles of the developed patterns in the case of multilayer structure samples containing a YBCO type High Temperature Superconducting layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Materials Processing Technology - Volume 184, Issues 1–3, 12 April 2007, Pages 305–311
Journal: Journal of Materials Processing Technology - Volume 184, Issues 1–3, 12 April 2007, Pages 305–311
نویسندگان
K. Vutova, G. Mladenov, I. Raptis, A. Olziersky,