کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8014394 | 1517171 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and UV photoresponse of GaN nanowire-film hybrid films on sapphire substrates by chemical vapor deposition method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hybrid films composed of GaN nanowires and GaN films were prepared on sapphire substrates by chemical vapor deposition. The GaN films and GaN nanowires are all indexed to the hexagonal wurtzite structure. The photoluminescence spectra of GaN nanowire-film hybrid films are composed of a strong ultraviolet emission peak (365â¯nm) and a weak yellow luminescence band (â¼600â¯nm). The UV detector based on GaN nanowire-film hybrid films shows a high responsivity ofâ¯â¼2.5â¯A/W at 360â¯nm and a fast response speed ofâ¯â¼22â¯Î¼s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 217, 15 April 2018, Pages 288-291
Journal: Materials Letters - Volume 217, 15 April 2018, Pages 288-291
نویسندگان
Rui Sun, Gui-Gen Wang, Zheng-Chun Peng,