کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032551 | 1517954 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low resistivity Ta textured film formed on TaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ta films formed on Si(100) and quartz substrates by sputtering technique usually lead to a textured β-Ta with tetragonal crystal lattice. The β-Ta film has a high resistivity. As a comparison, low resistivity α-Ta with cubic crystal lattice can be formed by sputtering on TaN. Crystal study shows that the sputtered TaN film has a preferred (111) growth plane and the α-Ta has a preferred (110) growth plane. Both are textured films. The growth mechanism of the α-Ta on TaN is ascribed to epitaxy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 658, 31 July 2018, Pages 33-37
Journal: Thin Solid Films - Volume 658, 31 July 2018, Pages 33-37
نویسندگان
Jianyuan Wang, Jianfang Xu, Wei Huang, Jun Li, Shihao Huang, Hongkai Lai, Cheng Li, Songyan Chen,