کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032933 | 1517963 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We show that the electrochemically grown aluminum oxide dielectric films always comprise some redox-active molecular species absorbed from the electrolyte. This contamination affects dramatically electrical performance of organic field-effect transistors (OFETs), particularly leading to the appearance of hysteresis in the current-voltage characteristics and positive shift of the threshold voltage. A strong suppression of the hysteresis was observed while reducing the concentration of the citric acid or replacing it with an alternative electrolyte based on the aminoacid (isoleucine) and its potassium salt.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 649, 1 March 2018, Pages 7-11
Journal: Thin Solid Films - Volume 649, 1 March 2018, Pages 7-11
نویسندگان
Lidiya I. Leshanskaya, Nadezhda N. Dremova, Sergey Yu. Luchkin, Ivan S. Zhidkov, Seif O. Cholakh, Ernst Z. Kurmaev, Keith J. Stevenson, Pavel A. Troshin,