کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032985 | 1517964 | 2018 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of p-InAs on GaSb with intense terahertz emission under 1.55-μm femtosecond laser excitation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the molecular beam epitaxy growth of high-quality p-InAs thin films evaluated in the context of 1.55 μm femtosecond laser-excited THz emission efficiency. The presence of p-InAs is confirmed via scanning electron microscopy and X-ray diffraction. Using a GaAs buffer layer, the epitaxial growth of p-InAs layers was successfully achieved. Initiating GaAs deposition by growth interruption, we find that GaAs adheres to the GaSb substrate and provides a quasi-planar surface for the subsequent layers. We also find a significant enhancement in the THz radiation intensity of p-InAs films that is approximately twice compared to that of bulk p-InAs for 1.55 μm wavelength.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 648, 28 February 2018, Pages 46-49
Journal: Thin Solid Films - Volume 648, 28 February 2018, Pages 46-49
نویسندگان
Cyril P. Sadia, Lorenzo P. Jr., Ramon M. delos Santos, Joselito E. Muldera, Alexander E. De Los Reyes, Mae Agatha C. Tumanguil, Christopher T. Que, Valynn Katrine Mag-usara, Masahiko Tani, Armando S. Somintac, Elmer S. Estacio, Arnel A. Salvador,