کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8037190 1518073 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current-voltage-temperature characteristics of Au/p-InP Schottky barrier diode
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Current-voltage-temperature characteristics of Au/p-InP Schottky barrier diode
چکیده انگلیسی
► Au/p-InP Schottky diodes were fabricated. ► The barrier height was determined as 0.78 eV at room temperature. ► The temperature coefficient was calculated as 1.78 × 10− 4 eV K− 1 for Au/p-InP.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 436-441
نویسندگان
, ,