کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037190 | 1518073 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current-voltage-temperature characteristics of Au/p-InP Schottky barrier diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Au/p-InP Schottky diodes were fabricated. ⺠The barrier height was determined as 0.78 eV at room temperature. ⺠The temperature coefficient was calculated as 1.78 Ã 10â 4 eV Kâ 1 for Au/p-InP.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 436-441
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 436-441
نویسندگان
Demet Korucu, Songül Duman,