کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037362 | 1518077 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of Sb-doping on the grain growth of Cu(In, Ga)Se2 thin films fabricated by means of single-target sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films made by sputtering from a single CIGS target. ⺠Chemical bath deposition used to introduce antimony into CIGS absorber layers. ⺠In/Ga ratio decreases in Sb-doped annealed films, comparatively to undoped films. ⺠Sb-doped CIGS films are superior to undoped films in terms of grain-growth kinetics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 137-140
Journal: Thin Solid Films - Volume 527, 1 January 2013, Pages 137-140
نویسندگان
Shu Zhang, Lu Wu, Ruoyu Yue, Zongkai Yan, Haoran Zhan, Yong Xiang,