کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8040944 | 1518665 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion implantation induced blistering of rutile single crystals
ترجمه فارسی عنوان
ایمپلنت های یون موجب القای تجمع کریستال های روتیل می شوند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
روتیل، ایمپلنت یون طحال
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The rutile single crystals were implanted by 200Â keV He+ ions with a series fluence and annealed at different temperatures to investigate the blistering behavior. The Rutherford backscattering spectrometry, optical microscope and X-ray diffraction were employed to characterize the implantation induced lattice damage and blistering. It was found that the blistering on rutile surface region can be realized by He+ ion implantation with appropriate fluence and the following thermal annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 354, 1 July 2015, Pages 255-258
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 354, 1 July 2015, Pages 255-258
نویسندگان
Bing-Xi Xiang, Yang Jiao, Jing Guan, Lei Wang,